就整個消費電子行業(yè)的情況來看，GaN已經在全球主流的消費電子廠商中得到了關注和投入，GaN也正在伴隨充電器快速爆發(fā)。今年一月，在美國舉辦的CES展會上，參展的GaN充電器已經多達66款，其中涵蓋了18W、30W、65W、100W等多個功率以及全新品類超級擴展塢，滿足手機、平板、筆電的全方位充電需求。綜合性能和成本兩個方面，GaN也有望在未來成為消費電子領域快充器件的主流選擇。

隨著用戶對充電器通用性、便攜性的需求提高，未來GaN快充市場規(guī)模將快速上升，預計2020年全球GaN充電器市場規(guī)模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年復合年均增長率高達94％。

值得一提的是，在這樣的市場趨勢下，一些重要的半導體行業(yè)也大舉切入到GaN市場。GaN不僅僅只在充電器領域，憑借GaN的功率性能、頻率性能以及優(yōu)秀散熱性能，它還可用于5G基站、自動駕駛、軍用雷達等眾多功率和頻率有較高要求的場。

GaN的應用不僅僅止于充電領域

但在手機領域，GaN之所以越來越出名，絕不僅僅是因為快充，而是5G時代的到來。5G將帶來半導體材料革命性的變化，隨著通訊頻段向高頻遷移，因此基站及通信設備對射頻器件高頻性能的要求也在不斷提高。不僅如此，5G所需要的多重載波聚合以及基站的功率放大器，GaN都可以占據一席之地，通吃5G的上下游產業(yè)鏈。

在此背景下，GaN的優(yōu)勢將逐步凸顯，使得GaN成為5G的關鍵技術。隨著今年5G手機的大規(guī)模推出和各國5G基站的鋪設，和現有的硅、砷化鎵的解決方案比起來，GaN則能提供更好的功率以及能耗比，也更能適用于5G時代的需求。

· 在5G的關鍵技術Massive MIMO應用中，基站收發(fā)信機上使用大數量（如32/64等）的陣列天線實現更大的無線數據流量和連接可靠性，這種架構需要相應的射頻收發(fā)單元陣列配套。因此射頻器件的數量將大為增加，器件的尺寸大小很關鍵，利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點可實現高集化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。

· 除了基站射頻收發(fā)單元陳列中所需的射頻器件數量大為增加，基站密度和基站數量也會大為增加，因此相比3G、4G時代，5G時代的射頻器件將會以幾十倍、甚至上百倍的數量增加，因此成本的控制非常關鍵，而硅基氮化鎵在成本上具有巨大的優(yōu)勢，隨著硅基氮化鎵技術的成熟，它能以最大的性價比優(yōu)勢取得市場的突破。

同時在5G毫米波應用上，GaN的高功率密度特性在實現相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下，可有效減少收發(fā)通道數及整體方案的尺寸，實現性能成本的最優(yōu)化組合。